Institut de Chimie Moléculaire
& des Matériaux d’OrsaY
ACCÈS

Notre adresse

Institut de Chimie Moléculaire et des Matériaux d’Orsay
Bâtiment 670, Université Paris-Saclay, UMR 8182
17 Avenue des Sciences
91400 Orsay – France

Pour venir à l’ICMMO

Situé sur le plateau de Saclay, l’ICMMO fait partie de la faculté des sciences d’Orsay. Vous pouvez venir à l’ICMMO en transports en commun ou en voiture. Voyez le plan du campus .

Par la route

En venant de Paris, deux possibilités :

  • Paris-Ouest : à la porte de Saint-Cloud prendre la N118, direction Chartres-Orléans, sortie 9, Centre Universitaire-Grandes Ecoles – Orsay-Le Guichet. Puis au rond-point, prendre la 2nde sortie Rue Louis de Broglie et tourner à droite sur l’Avenue des Sciences.
  • Paris-Sud : à partir de la Porte d’Orléans prendre l’autoroute A10 direction Bordeaux-Nantes, puis Chartres-Orléans, sortie Orsay-Bures. Emprunter la N118 jusqu’à la sortie 9, Centre Universitaire-Grandes Ecoles – Gif sur Yvette. Puis au rond-point, 1ère sortie Centre universitaire et au second rond-point, prendre la 3eme sortie Rue Louis de Broglie et tourner à droite sur l’Avenue des Sciences.

Pour le stationnement voir ici .

Par les transports en commun

Prendre le RER ligne B en direction de Saint-Rémy-les-Chevreuse, descendre à la station Le Guichet puis prendre le bus Transdev 9 ou descendre à la station Orsay puis prendre le bus Transdev 7 à Gare d’Orsay – l’Yvette.

DRX couche mince

Contact
Romuald Saint-Martin
Envoyer un mail
Bât. : 670 HM1 recherche

Tél. : 01 69 15 xx xx
Équipement salle 0229

Renseignements obtenus

Le diffractomètre RX en incidence rasante va permettre de réaliser sur des échantillons cristallisés des analyses de phases, de texture cristalline et de contraintes internes.

Caractérisation structurale d’échantillons massifs ou de films minces à température ambiante ou en température selon différents modes d’analyse :

Configuration θ/2θ ou en incidence rasante : Analyse de phases, Structure cristalline
Configutation 4-cercles: Texture cristalline dans des couches d’une épaisseur micronique 
Configutation 4-cercles en incidence variable: Détermination de contraintes résiduelles (méthode des sin2φ), Analyse des profils de raies de diffraction (micro-déformaiton), Détermination des orientation des monocristaux et des cotnraintes internes des monocristaux

Principe

La diffractométrie de rayons X est une technique d’analyse basée sur l’interaction élastique entre les photons incidents et les atomes qui se situent aux réseaux cristallin. La méthode générale consiste à faire diffracter l’échantillon avec un faisceau incident de photons monochromatiques, et à analyser la position, l’intensité et l’élargissement des pics de diffraction selon l’orientation dans l’espace. 

Matériaux

Couches minces et matériaux cristallisés polycristallins (massifs ou en poudres) ou monocristallins.

Utilisation

Le diffractomètre de rayons X peut être en libre service sous condition d’habilitation. Il nécessite néanmoins une réservation préalable, contactez le responsable de l’appareil.

Caractéristiques de l’appareil

Modèle : PANalytical X’Pert PRO MRD

Tube émetteur de Rayons X  à anticathode de cuivre
Berceau d’Euler – goniomètre à 4 cercles
Possibilité de monter une platine chauffante permettant de faire varier la température de 300 K à 1173 K
Choix entre trois optiques :
Détecteur rapide X’celerator ou détecteur proportionnel à gaz (Xenon)
Monochromateur arrière en graphite (avec détecteur proportionnel) permettant l’atténuation de la fluorescence X

Logiciels d’analyse

Logiciel d’identification de phases (X’pert HighScore)
Logiciel d’analyse des contraintes résiduelles (X’pert Stress)
Logiciel d’analyse de la texture (LaboTex 3.0)
Logiciel d’affinement de structure par la méthode de Rietveld (FullProf)
Logiciel d’analyse des données de réflectométrie (X’pert Reflectivity)